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刻蝕機和光刻機的區別：光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分。刻蝕相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機，要精確到納米。現在的手機芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10納米技術。10納米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米。現在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，最小到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高端光刻機上努力研發。

我相(xiang)信，不(bu)久(jiu)的(de)將(jiang)來，我們的(de)科技(ji)(ji)人員一(yi)定能研制出(chu)好的(de)的(de)光刻機，不(bu)再被卡(ka)脖子。核心技(ji)(ji)術(shu)、關鍵技(ji)(ji)術(shu)、國之重器必須立足于自己。科技(ji)(ji)的(de)攻關要摒棄幻想，靠(kao)我們自己。

我(wo)們(men)刻(ke)蝕(shi)機(ji)技術已經(jing)突破，5納米的(de)(de)(de)刻(ke)蝕(shi)機(ji)我(wo)們(men)也能自(zi)主(zhu)生產，現(xian)在卡脖子(zi)的(de)(de)(de)是(shi)光(guang)刻(ke)機(ji)。在芯片加(jia)工過程中，光(guang)刻(ke)機(ji)放樣(yang)，刻(ke)蝕(shi)機(ji)施工，清洗機(ji)清洗。然后反復循環幾十次，一(yi)般要500道左右的(de)(de)(de)工序(xu)，芯片——也就是(shi)晶體管的(de)(de)(de)集成(cheng)電路才(cai)能完(wan)成(cheng)。放樣(yang)達不到(dao)精(jing)度(du)，刻(ke)蝕(shi)機(ji)就失去用武(wu)之地了。

刻蝕機是什么

實際上狹義理解就是光刻(ke)腐蝕(shi)，先通過光刻(ke)將(jiang)光刻(ke)膠進行光刻(ke)曝(pu)光處理，然后(hou)通過其(qi)它方式實現(xian)腐蝕(shi)處理掉所需除去的部(bu)分。隨著微(wei)制造(zao)工藝的發展；廣義上來講，刻(ke)蝕(shi)成了通過溶液、反(fan)應離(li)子或其(qi)它機械(xie)方式來剝離(li)、去除材(cai)料的一(yi)種(zhong)統(tong)稱，成為微(wei)加(jia)工制造(zao)的一(yi)種(zhong)普適叫法(fa)。

刻(ke)蝕機的原(yuan)理

感應耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，然后從真空管路被抽走。